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GS816018T-200 specifiche: 6.5ns 200MHz 1M x 18 18Mb synchronous burst SRAM
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GS816018T-200 specifiche: 6.5ns 200MHz 1M x 18 18Mb synchronous burst SRAM
Fabbricante : GSI
Viaggi : TQFP
Pins : 100
Temperatura : Min 0 °C | Max 70 °C
Dimensione : 863 KB
Applicazione : 6.5ns 200MHz 1M x 18 18Mb synchronous burst SRAM