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GS820H32Q-4 specifiche: 117MHz 11ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
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GS820H32Q-4 specifiche: 117MHz 11ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM
Fabbricante : GSI
Viaggi : QFP
Pins : 100
Temperatura : Min 0 °C | Max 70 °C
Dimensione : 376 KB
Applicazione : 117MHz 11ns 64K x 32 2M synchronous burst SRAM