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HY57V641620HGT-SI specifiche: 4 banks x 1M x 16Bit synchronous DRAM, 3.3V, LVTTL, 100 MHz
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HY57V641620HGT-SI specifiche: 4 banks x 1M x 16Bit synchronous DRAM, 3.3V, LVTTL, 100 MHz
Fabbricante : HYNIX
Viaggi : TSOP II
Pins : 54
Temperatura : Min -40 °C | Max 85 °C
Dimensione : 159 KB
Applicazione : 4 banks x 1M x 16Bit synchronous DRAM, 3.3V, LVTTL, 100 MHz