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BS817 specifiche: 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
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BS817 specifiche: 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
Fabbricante : Diodes
Viaggi : SOT-23
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Dimensione : 63 KB
Applicazione : 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor