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DR210G specifiche: 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier
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DR210G specifiche: 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier
Fabbricante : EIC
Viaggi : D2
Pins : 2
Temperatura : Min -65 °C | Max 175 °C
Dimensione : 42 KB
Applicazione : 1000 V, 2 A, glass passivated junction silicon rectifier