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RM11B specifiche: 800 V, 1.2 A, silicon rectifier diode
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RM11B specifiche: 800 V, 1.2 A, silicon rectifier diode
Fabbricante : EIC
Viaggi : D2
Pins : 2
Temperatura : Min -65 °C | Max 175 °C
Dimensione : 42 KB
Applicazione : 800 V, 1.2 A, silicon rectifier diode