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GS8170DW18C-250 specifiche: 250MHz 1M x 18 18MB double late write sigmaRAM SRAM
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GS8170DW18C-250 specifiche: 250MHz 1M x 18 18MB double late write sigmaRAM SRAM
Fabbricante : GSI
Viaggi : BGA
Pins : 209
Temperatura : Min 0 °C | Max 70 °C
Dimensione : 996 KB
Applicazione : 250MHz 1M x 18 18MB double late write sigmaRAM SRAM