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IXBH16N170A specifiche: 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
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IXBH16N170A specifiche: 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
Fabbricante : IXYS
Viaggi : TO-247AD
Pins : 3
Temperatura : Min -40 °C | Max 150 °C
Dimensione : 56 KB
Applicazione : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor