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IXTH13N110 specifiche: 1100V MegaMOS FET
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IXTH13N110 specifiche: 1100V MegaMOS FET
Fabbricante : IXYS
Viaggi : TO-247
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Dimensione : 50 KB
Applicazione : 1100V MegaMOS FET