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IXTN21N100 specifiche: 600V high voltage megaMOS FET
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IXTN21N100 specifiche: 600V high voltage megaMOS FET
Fabbricante : IXYS
Viaggi : SOT-227B
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Dimensione : 150 KB
Applicazione : 600V high voltage megaMOS FET