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HYB5117405BT-500 specifiche: 4M x 4bit DRAM
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HYB5117405BT-500 specifiche: 4M x 4bit DRAM
Fabbricante : Infineon
Viaggi : P-TSOPII-26/24 300 m
Pins : 26
Temperatura : Min 0 °C | Max 70 °C
Dimensione : 355 KB
Applicazione : 4M x 4bit DRAM