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KTB817 specifiche: PNP transistor for high power amplifier applications
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KTB817 specifiche: PNP transistor for high power amplifier applications
Fabbricante : KEC
Viaggi : TO-3P
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Dimensione : 314 KB
Applicazione : PNP transistor for high power amplifier applications