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2N3962 specifiche: 360mW PNP silicon planar epitaxial transistor
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2N3962 specifiche: 360mW PNP silicon planar epitaxial transistor
Fabbricante : Micro Electronics
Viaggi : TO-92A
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Dimensione : 47 KB
Applicazione : 360mW PNP silicon planar epitaxial transistor