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BSX20 specifiche: 360mW NPN silicon planar epitaxial transistor
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BSX20 specifiche: 360mW NPN silicon planar epitaxial transistor
Fabbricante : Micro Electronics
Viaggi : TO-18
Pins : 3
Temperatura : Min -65 °C | Max 200 °C
Dimensione : 104 KB
Applicazione : 360mW NPN silicon planar epitaxial transistor