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MTE125N20E specifiche: ISOTOP TMOS E-FET power field effect transistor
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MTE125N20E specifiche: ISOTOP TMOS E-FET power field effect transistor
Fabbricante : Motorola
Viaggi : SOT
Pins : 4
Temperatura : Min -40 °C | Max 150 °C
Dimensione : 250 KB
Applicazione : ISOTOP TMOS E-FET power field effect transistor