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MTY100N10E specifiche: TMOS E-FET power field effect transistor
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MTY100N10E specifiche: TMOS E-FET power field effect transistor
Fabbricante : Motorola
Viaggi : TO-264
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Dimensione : 237 KB
Applicazione : TMOS E-FET power field effect transistor