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PHKD3NQ10T specifiche: 100 V, dual N-channel trenchMOS transistor
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PHKD3NQ10T datasheet e spec
Fabbricante : Philips
Viaggi : SO
Pins : 8
Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C
Dimensione : 86 KB
Applicazione : 100 V, dual N-channel trenchMOS transistor
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