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BULD25D specifiche: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
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BULD25D specifiche: 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
Fabbricante : Transys
Viaggi :
Pins : 8
Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C
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Applicazione : 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode