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MTB30N06VL specifiche: TMOS V power field effect transistor
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MTB30N06VL specifiche: TMOS V power field effect transistor
Fabbricante : Motorola
Viaggi : DPAK
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Dimensione : 288 KB
Applicazione : TMOS V power field effect transistor